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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚87235+￥5.945425+￥5.505050+￥5.1967100+￥5.0646500+￥4.97652500+￥4.86645000+￥4.822410000+￥4.7563 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。27191+￥41.234810+￥38.8689100+￥37.1113250+￥36.8409500+￥36.57051000+￥36.26632500+￥35.99595000+￥35.8269 -
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品类: IGBT晶体管描述: SGL50N60RUFD系列 600 V 80 A 法兰安装 短路 额定 IGBT -TO-26412321+￥49.994410+￥47.1259100+￥44.9949250+￥44.6671500+￥44.33931000+￥43.97052500+￥43.64265000+￥43.4377 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Tube54675+￥29.673550+￥28.4054200+￥27.6953500+￥27.51781000+￥27.34022500+￥27.13735000+￥27.01057500+￥26.8837 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R54285+￥6.563725+￥6.077550+￥5.7372100+￥5.5913500+￥5.49412500+￥5.37255000+￥5.323910000+￥5.2510 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 20A 350V N-CHANNEL276410+￥7.6728100+￥7.2892500+￥7.03341000+￥7.02062000+￥6.96955000+￥6.90557500+￥6.854410000+￥6.8288 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1500V 10A 62500mW 3Pin(3+Tab) TO-3pF Tube12221+￥52.385610+￥49.3799100+￥47.1470250+￥46.8035500+￥46.46001000+￥46.07352500+￥45.73005000+￥45.5153 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt n-Ch 400V 150A 8-Tssop - Tig030ts-Tl-e33915+￥2.648725+￥2.452550+￥2.3152100+￥2.2563500+￥2.21712500+￥2.16805000+￥2.148410000+￥2.1190 -
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品类: IGBT晶体管描述: 绝缘栅双极晶体管与反并联二极管 Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode34435+￥21.506950+￥20.5878200+￥20.0731500+￥19.94451000+￥19.81582500+￥19.66875000+￥19.57687500+￥19.4849 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube36901+￥57.347310+￥54.0569100+￥51.6126250+￥51.2365500+￥50.86051000+￥50.43742500+￥50.06145000+￥49.8264 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 350V 21A 150000mW 3Pin(2+Tab) DPAK Tube707210+￥8.5668100+￥8.1385500+￥7.85291000+￥7.83862000+￥7.78155000+￥7.71017500+￥7.653010000+￥7.6245 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。64031+￥42.027810+￥39.6164100+￥37.8250250+￥37.5494500+￥37.27381000+￥36.96382500+￥36.68825000+￥36.5159 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 480V 51A 3Pin TO-263AB T/R85075+￥13.369650+￥12.7982200+￥12.4783500+￥12.39831000+￥12.31832500+￥12.22695000+￥12.16987500+￥12.1126 -
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品类: IGBT晶体管描述: 智能功率模块19271+￥401.016510+￥390.555250+￥382.5349100+￥379.7452200+￥377.6529500+￥374.86331000+￥373.11972000+￥371.3762 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 27Pin SPM27-BA Rail69721+￥232.724410+￥226.653350+￥221.9988100+￥220.3798200+￥219.1656500+￥217.54671000+￥216.53482000+￥215.5230 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。83141+￥67.592410+￥64.6536100+￥64.1246250+￥63.7132500+￥63.06661000+￥62.77282500+￥62.36135000+￥62.0087 -
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品类: IGBT晶体管描述: 晶体管, IGBT, 600V, 14A25725+￥4.341625+￥4.020050+￥3.7949100+￥3.6984500+￥3.63412500+￥3.55375000+￥3.521510000+￥3.4733 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FSBF5CH60B N通道 IGBT 模块, 5 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 JA封装36831+￥153.415810+￥149.413650+￥146.3453100+￥145.2780200+￥144.4776500+￥143.41041000+￥142.74342000+￥142.0763 -
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品类: IGBT晶体管描述: FSBF15CH60BT系列 600 V 15 A 三相 IGBT 智能功率模块 - SPM-27JA34061+￥236.456110+￥230.287750+￥225.5586100+￥223.9136200+￥222.6800500+￥221.03511000+￥220.00702000+￥218.9789 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGL35N120FTDTU N沟道 IGBT, 70 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-264封装44721+￥49.821110+￥46.9626100+￥44.8390250+￥44.5123500+￥44.18561000+￥43.81812500+￥43.49145000+￥43.2872 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGH40T65UPD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装34421+￥233.680010+￥227.584050+￥222.9104100+￥221.2848200+￥220.0656500+￥218.44001000+￥217.42402000+￥216.4080 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装13305+￥33.411750+￥31.9838200+￥31.1842500+￥30.98431000+￥30.78442500+￥30.55605000+￥30.41327500+￥30.2704 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGB3040G2_F085 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=400 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装86095+￥12.038150+￥11.5237200+￥11.2356500+￥11.16361000+￥11.09152500+￥11.00925000+￥10.95787500+￥10.9063 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGB40N60SM N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装83585+￥23.846950+￥22.8278200+￥22.2571500+￥22.11451000+￥21.97182500+￥21.80875000+￥21.70687500+￥21.6049 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGB20N60SFD N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装71925+￥34.196850+￥32.7354200+￥31.9170500+￥31.71241000+￥31.50782500+￥31.27405000+￥31.12787500+￥30.9817 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 场拦截沟道, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 引脚857510+￥8.7504100+￥8.3129500+￥8.02121000+￥8.00662000+￥7.94835000+￥7.87547500+￥7.817010000+￥7.7879 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGB3040G2_F085 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=400 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装36285+￥20.110050+￥19.2506200+￥18.7693500+￥18.64901000+￥18.52872500+￥18.39125000+￥18.30527500+￥18.2193 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGAF20N60SMD N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PF封装10735+￥32.583350+￥31.1909200+￥30.4111500+￥30.21621000+￥30.02122500+￥29.79845000+￥29.65927500+￥29.5199
